IGBT功率模块使用方法

　　IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器材。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器材具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱满电压及大电流等特性，被作为功率器材广泛应用于工业操控、电力电子体系等范畴（例如：伺服电机的调速、变频电源）。为使咱们规划的体系能够更安全、更可靠的作业，对IGBT功率模块的维护显得尤为重要。

　　现在，在使用和规划IGBT的过程中，基本上都是选用粗豪式的规划形式——所需余量较大，体系巨大，但仍无法抵抗来自外界的干扰和本身体系引起的各种失效问题。瞬雷电子公司利用在半导体范畴的生产和规划优势，结合瞬态抑制二极管的特色，在研讨IGBT失效机理的基础上，通过整合体系内外部来突破规划瓶颈。本文将突破传统的维护方式，讨论IGBT体系电路维护规划的解决方案。

　　IGBT功率模块失效场合：来自体系内部，如电力体系散布的杂散电感、电机感应电动势、负载骤变都会引起过电压和过电流;来自体系外部，如电网动摇、电力线感应、浪涌等。归根到底，IGBT失效主要是由集电极和发射极的过压/过流和栅极的过压/过流引起。

　　IGBT失效机理：IGBT由于上述原因产生短路，将产生很大的瞬态电流——在关断时电流改变率di/dt过大。漏感及引线电感的存在，将导致IGBT集电极过电压，而在器材内部产生擎住效应，使IGBT锁定失效。同时，较高的过电压会使IGBT击穿。IGBT由于上述原因进入放大区， 使管子开关损耗增大。

　　IGBT功率模块传统防失效机理：尽量削减主电路的布线电感量和电容量，以此来减小关断过电压;在集电极和发射极之间，放置续流二极管，并接RC电路和RCD电路等;在栅极，依据电路容量合理选择串接阻抗，并接稳压二极管防止栅极过电压。