JFET和MOSFET的差别在哪？

FET和MOSFET的基本概念

JFET和MOSFET全是压控晶体管，用以变大仿真模拟和数据弱数据信号。二者全是单级元器件，但构成不一样。 JFET代表结型场效晶体管，而MOSFET则代表金属氧化物半导体材料场效晶体管。前面一种是三端子半导体元器件，而后面一种是四接线端子半导体元器件。

FET和MOSFET的工作模式

与双极结型晶体管（BJT）对比，二者的跨导值都较小。 JFET只有在耗光方式下工作中，而MOSFET能够在耗光方式和提高方式下工作中。

FET和MOSFET中的输入阻抗

JFET的高输入阻抗约为1010欧母，这使其对键入工作电压数据信号比较敏感。 MOSFET出示比JFET更高的输入阻抗，这归功于金属氧化物导体和绝缘体，促使他们在栅极端电阻器更高。

栅极泄露电流

它就是指即便 关掉了电子产品，因为电子产品而造成 的慢慢耗损的电磁能。尽管JFET容许栅极漏电流为10 ^ -9 A量级，但MOSFET的栅极漏电流将为10 ^ -12 A量级。

FET和MOSFET中的毁坏电阻器

因为附加的金属氧化物导体和绝缘体会减少栅极的电容器，进而使晶体管非常容易遭受髙压毁坏，因而MOSFET更非常容易遭受静电感应充放电的危害。另一方面，JFET比MOSFET具备更高的键入电容器，因而不容易遭受ESD毁坏。

FET和MOSFET的成本费

JFET遵照简易，不太繁杂的生产制造加工工艺，这使其比MOSFET划算，而MOSFET因为生产制造加工工艺更为繁杂而价格比较贵。额外的金属氧化物层提升了固定成本。

FET和MOSFET的运用

JFET是开关元件，缓存放大仪等低噪音运用。另一方面，MOSFET关键用以高噪音运用，比如电源开关和变大仿真模拟或模拟信号，除此之外，他们还用以电机控制系统运用和嵌入式操作系统。