UMPC 产品MOS管替代方案

如今我们处在这个电子产品的世界，作为基础器件的MOSFE场效应晶体管是电子产品不可或缺的一部分，在高压器件中，绝大部分电压由少掺杂的Epi层来承受：厚的少掺杂的Epi层承受更高的击穿耐压，但是增加了导通电阻。在低压器件中，P-体掺杂程度和N- Epi层差不多，也可以承受电压。如果P-体的厚度不够，重掺杂太多，耗尽区可以通孔达到N+ 源极区，从而降低了击穿电压值。如果P-体的厚度太大，重掺杂不够，沟道的电阻和阈值电压将增大。因此需要仔细的设计体和Epi掺杂和厚度以优化其性能。，在这里我们就会想如果自己想要开发一款自己的UMPC 产品，我们要怎么选择才好呢？

如果你想选择合适MOS管来应用到你的产品上面，你想要我们来给你推荐使用的MOS管产品，我们就会根据你的电压、电流、封装、电阻来进行选择！

比如你想要的电压30V，电流130A，封装TO-251等标准来开发自己的UMPC 产品，我们在根据这些信息筛选之后，就会给你推荐CS130N03A3的MOS管产品。

MOSFET不同于JFET，在Gate是不与导电沟道相连的，是有一层氧化绝缘层的，因此从符号中可以看出，MOSFET中Gate和沟道是由缝隙的，也就是有两条竖线，或者一条竖线与三段虚线，而JFET则是一条竖线。另外，细心的你可能还会发现，有的Gate形状为“L”，有的则是“T”，如果是“L”，意味着Gate和Source在物理结构上靠得更近。


UMPC 产品场效应晶体管方案定制