一、真?SiC 实力：参数对标国际，性能一步到位

TNS65R180S 采用先进碳化硅工艺，关键参数精准对标高端应用需求，稳定可靠、损耗更低：

• 650V 高耐压：充足电压裕量，轻松扛住浪涌与尖峰，系统更安全。
• 超低导通损耗：15V 驱动下RDS (on) 典型 160mΩ，高温特性更稳，发热显著下降。
• 大电流承载：25℃连续电流20A，峰值30A，大功率场景从容应对。
• 极速开关：低栅电荷、低结电容，开关损耗小、支持更高频率，缩小变压器 / 电感体积。
• 强抗 EMI：优化结构设计，有效降低干扰，简化滤波、提升整机兼容性。
• 宽温可靠：工作结温 **-55℃~+175℃**，高温不降额、恶劣环境不掉链。
• 易驱易并：驱动简单、并联性能优异，多管均流稳定，扩容更轻松。
• 环保合规：符合 RoHS，绿色生产，适配全球市场准入要求。

二、TO-263 封装：贴片量产，散热与密度双优

采用TO-263（D2PAK）贴片封装，兼顾性能与生产效率：

• 支持 SMT 自动化贴片，生产高效、一致性强
• 底部大焊盘散热优异，热阻更低，长期工作更稳定
• 体积小巧，助力设备更高功率密度，轻薄化设计一步到位
• 引脚兼容主流同规格型号，直接替换、无需改板，快速升级效率

三、硬核价值：用 SiC，解决真痛点

1. 效率显著提升

导通损耗与开关损耗双低，整机效率再上台阶，省电、降温、延长续航一步到位。

2. 功率密度突破

支持更高工作频率，被动元件更小，设备更轻、更薄、更省空间。

3. 散热成本大减

低热阻 + 低损耗设计，简化散热器甚至可无风扇，降低 BOM 与结构成本。

4. 长期稳定可靠

碳化硅本征耐高压、耐高温、抗辐射，寿命更长、故障率更低，工业与车载场景更放心。

四、全域适用：覆盖主流中高压功率场景

TNS65R180S 适配广泛，是多款设备的升级优选：

• 开关电源 / 服务器电源 / 通信电源：PFC+DC-DC 高效方案，冲击钛金能效
• 光伏逆变器 / 储能变流器 / 微逆：提升发电量，减小体积，适配户用与工商业
• 工业控制 / 变频器 / UPS / 电焊机：高温高负载下稳定输出
• 快充电源 / LED 驱动 / 家电主板：小体积、低发热、高一致性
• 车载 OBC/DC-DC/ 充电模块：650V 耐压匹配高压平台，高效可靠

五、特诺 TiONER：国产 SiC，放心之选

特诺半导体专注功率器件研发与制造，以稳定供货、严苛品控、高性价比，为客户提供可靠国产替代方案。TNS65R180S 从设计、晶圆到封测全流程严控品质，性能比肩国际一线，交期更稳、服务更快，助力客户降本增效、快速迭代。

选择特诺 TNS65R180S SiC MOSFET

= 更低损耗 + 更高频率 + 更高密度 + 更稳可靠

650V 碳化硅功率新标杆，让每一次能量转换更高效、更安心

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