芯片制造的第一步是制备晶圆（Wafer）。晶圆通常由高纯度单晶硅制成，其生产过程如下：
硅提纯：从石英砂（主要成分SiO?）中提取硅，并通过化学方法提纯至99.9999999%（电子级硅）。
单晶硅生长：采用直拉法（CZ法）或区熔法（FZ法），将多晶硅熔融后拉制成圆柱形单晶硅锭。
晶圆切割与抛光：硅锭被切割成厚度约0.5~1mm的薄片，再经过精密抛光，确保表面超平坦，以供后续光刻使用。
目前主流晶圆尺寸为300mm（12英寸），而更先进的450mm晶圆仍在研发中，以提高生产效率和降低成本。
光刻是芯片制造中最关键、最复杂的步骤之一，它决定了芯片的晶体管密度和性能。其核心流程包括：
涂覆光刻胶：在晶圆表面均匀涂覆一层光敏材料（光刻胶）。
曝光：使用光刻机（如EUV极紫外光刻机），将设计好的电路图案投射到光刻胶上，使其部分区域发生化学反应。
显影：通过化学溶剂去除曝光（或未曝光）部分，形成纳米级电路模板。
目前最先进的EUV光刻技术（13.5nm波长）可实现5nm及以下制程，而传统DUV（深紫外光刻）则用于成熟制程（如28nm以上）。
光刻完成后，需要通过刻蚀工艺将图案转移到硅片上。刻蚀主要分为两种：
干法刻蚀（等离子刻蚀）：利用高能等离子体轰击晶圆表面，精确去除未被光刻胶保护的硅材料。
湿法刻蚀：使用化学液体（如氢氟酸）溶解特定材料，适用于某些特殊结构。
刻蚀的精度直接影响芯片性能，因此需要严格控制深度和侧壁形貌。
为了调节硅的导电性，需在特定区域注入杂质原子（如磷、硼），形成P型或N型半导体。这一过程通过离子注入机完成：
高能离子束轰击晶圆表面，改变局部电学特性。
随后进行高温退火，修复晶格损伤并激活掺杂原子。
芯片需要多层金属导线连接晶体管，这一过程涉及：
化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）：在晶圆表面生长绝缘层（如SiO?）或金属层（如铜）。
电镀与化学机械抛光（CMP）：铜导线通过电镀填充沟槽，再经CMP磨平表面，确保多层电路精准对齐。
现代先进芯片（如5nm制程）可能包含超过100亿个晶体管，并采用10层以上的金属互连。
完成所有加工后，晶圆需经过严格测试：
晶圆测试（Wafer Test）：用探针台检测每个芯片的电学性能，标记不良品。
切割（Dicing）：用金刚石刀或激光将晶圆切割成单个芯片（Die）。
封装（Packaging）：将芯片封装在保护壳内，并连接外部引脚，形成最终可用的集成电路（IC）。
随着摩尔定律逼近物理极限，芯片制造面临巨大挑战：
EUV光刻成本高昂：一台ASML EUV光刻机售价超1.5亿美元。
量子隧穿效应：3nm以下制程可能发生电子泄漏，需新材料（如GAA晶体管、碳纳米管）。
先进封装技术：Chiplet（小芯片）和3D堆叠成为提升性能的新方向。
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