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NCE01P18K*TO-252P-100-1870±20-1.9 型号:NCE01P18K* 品牌:新洁能/NCE 封装:TO-252 极性:N V(BR)DSS(V):-100 ID(A):100 PD(w ):100 VGS (v):±20 VGS(th) (v):-1.9 关键词:飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,新洁能产品产线简介
NCE01P18K*TO-252P-100-1870±20-1.9
型号:NCE01P18K*
品牌:新洁能/NCE
封装:TO-252
极性:N
V(BR)DSS(V):-100
型号:NCE01P18K*
品牌:新洁能/NCE
封装:TO-252
极性:N
V(BR)DSS(V):-100
ID(A):100
PD(w ):100
VGS (v):±20
VGS(th) (v):-1.9
关键词:飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,新洁能产品
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